三星与瑞萨科技就半导体专利官司达成和解

　　三星电子与日本瑞萨科技互控对方侵犯半导体专利的官司达成和解。

　　据了解，双方已向德拉瓦州威灵顿联邦法院及美国国际贸易委员会(ITC)办理协议通知书。法院文件透露，协议是在在4月25日达成。和解财务条款并未予以公开。

　　全球首大未上市晶片制造商瑞萨科技与三星电子互控对方侵犯DRAM(动态随机存取记忆体)晶片专利，并分别寻求禁止对方晶片外销美国。尽管价格直直落，DRAM需求依然强劲。

　　日本次大晶片制造商瑞萨科技于2007年1月在ITC与德拉瓦州首度提起诉愿，三星同年5月在ITC反控瑞萨科技侵权。

　　总部位在东京的瑞萨科技是日本三菱电机与日立制作所旗下合资事业，记忆体晶片占其事业比重将近10%，另外，瑞萨科技还生产手机用晶片。东芝则是日本首大晶片制造商。

　　三星电子同时也是亚洲首大平面萤幕与手机制造商。