据台湾“中央社”11月20日报道，iPhone X开卖不久，市场已将目光转向明年新iPhone。外媒引述分析师预估，明年新iPhone将具备SIM卡双卡双待（DSDS）功能，LTE传输速度可大幅提升，英特尔或成基频芯片大赢家。

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　　国外科技网站MacRumors引述凯基投顾分析师郭明池报告指出，苹果2018年推出新一代iPhone机种，将搭配英特尔或高通(Qualcomm)新一代基频芯片，可让新一代iPhone的LTE传输速度更佳。

　　新iPhone的LTE芯片可支持4x4多入多出(MIMO)天线技术，今年9月新推出的iPhone，支持2x2的MIMO天线规格，郭明池认为这将大幅提升明年下半年新款iPhone在LTE传输速度。报道引述郭明錤报告预估，英特尔提供的基频芯片，将占明年新款iPhone所需70%到80%比重，甚至更高。

　　郭明池预期明年新款iPhone将进一步支持双卡双待DSDS(dual-SIM dual standby)功能，预期能具备LTE+LTE连结。这意味新款iPhone内建的2张SIM卡，可通过一组芯片同时运作。

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